关断 相关话题

IGBT模块的导通电阻和关断速度是两个关键的性能指标，它们之间存在一定的关联。导通电阻是指在IGBT处于导通状态时，其内部的电阻值，通常用欧姆（Ω）来衡量。而关断速度则是指IGBT从导通状态切换到关闭状态所需的时间，通常用纳秒（ns）来衡量。 这是因为IGBT在导通状态下，其内部的电荷存储量会随着导通电阻的减小而增加，电荷存储量的增加会导致IGBT在开关过程中的电容充放电时间加长，从而使得开关速度变慢。因此，在选择IGBT模块时，需要在导通电阻和开关速度之间做出权衡。 总之，IGBT模块的导通