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  软体定义全快闪记忆体储存阵列供应商捷鼎国际 (AccelStor) 宣布推出全新高可用性且可纵向扩充的全快闪记忆体储存阵列 NeoSapphire H710，为企业用户的关键应用提供弹性灵活的储存空间配置，可用容量可从 27TB 扩充至 221TB。H710 专为不断扩增需求的当今 IT 应用与新兴的资料中心应用设计，适合云端计算、高效能运算 (HPC)、人工智慧、虚拟化应用、线上交易处理 (OLTP) 与资料挖掘 (Data Mining) 等多项应用。除了可扩展性与高可用性，H710

兆易创新与合肥市产业投资控股(集团)有限公司最近签署《关于存储器研发项目之合作协议》，约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目，项目预算约为180亿元。此前，业界一直有兆易创新将与合肥长鑫合作发展DRAM内存芯片的消息传出。此协议的签署表明兆易创新正式加入存储竞争格局。 除兆易创新以及合肥长鑫外，国内投入存储芯片的主要企业还包括长江存储和福建晋华，目前三大存储芯片企业均在加紧建设存储芯片工厂，最快的预计将于明年下半年开始投产

QuantumTM加速器产品将在2018年投入生产，面向大规模的可编程加速器市场 中芯国际集成电路制造有限公司（简称“中芯国际”，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所股票代码：981），世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆制造企业，与Efinix，可编程产品平台及技术的创新企业，昨日共同宣布，中芯国际40纳米工艺平台成功交付Efinix首批QuantumTM可编程加速器产品样本。从使用中芯国际物理设计工具（PDK）进行产品开发，到系统生效交付产品样本

近日消息，中芯国际联席CEO梁孟松透露，中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺，2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺，并藉此进入AI芯片领域。 梁孟松表示，28nm工艺在整个2018年将占据中芯国际出货量的5-10%，其中新的28nm HKC占比将基本接近28nm Poly-SiON。 2017年第四季度，中芯国际深圳200毫米晶圆厂的产能为442750块晶圆，2018年第一季度提升至447750块，平均产能利用率也提高到88.3%。 同时，来自电源管理IC的需求

近日消息，中国最大的晶圆代工厂中芯国际已经向荷兰半导体设备制造商ASML订购了一台EUV设备。EUV是当前半导体产业中最先进也最昂贵的芯片制造设备，这台设备价值1.2亿美元，差不多花费了中芯一季度营收的14%。这台机器预计将于2019年初交货。 EUV对于未来芯片技术的发展至关重要，并一直被视为摩尔定律的救星。1965年提出的摩尔定律，随着工艺演进，晶体管尺寸缩微越来越困难，在近年来越来越多人担心它将走到尽头。该光刻设备采用波长为13.5nm的极紫外光源，相比于现在主流光刻机用的193nm光源

根据供应链消息，中芯国际是中国最大的晶圆代工厂，目前拥有最新的14纳米FinFET工艺，接近完成研发。其试生产的产量已经可以达到95％。因此，从2019年开始批量生产的目标似乎并不遥远。 据了解，根据中芯国际最新财务报告，中芯国际最先进的工艺目前为28纳米。不过，根据2018年第一季度的财务报告，28纳米仅占其收入的3.2％。与联电，英特尔等较慢的先进工艺制造商相比，落后的一个世代以上，更不用说先进技术。台积电，格罗方德，三星等在工艺开发方面取得快速进展的公司已准备好进入落后三代以上的7纳米制

东芝认为其3D NAND BiCS在非挥发性存储器产品成为市场主流前，仍有很多创新研发空间。法新社 在日前于美国加州举行的2018年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自对下世代产品及架构的产品规划蓝图，一如预期，英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及东芝(Toshiba)已在谈论QLC 3D NAND技术、发布96层3D NAND，并概述延伸至128层以上以进一步提升密度的NAND

面对大陆内需市场数据始终不如预期，和美中贸易战纷纷扰扰等因素干扰，2018年第4季半导体产业上游景气似乎开始出现淡季压力提前出现的现象，配合2019年全球各地GDP成长率可能进一步减弱，台系IC设计厂商为避免公司营收及获利成长步调失速，近期不断集中内部研发资源在新兴的车用电子、物联网及人工智能(AI)相关新品订单上，毕竟这些创新产品正在从无到有的催生过程，只要能抢下新品订单，对于公司来年营运成长表现势必有所加分，台系IC设计公司已开始跟上国际芯片大厂的步调，不断扩建旗下AI、物联网及车用电子芯