Diodes品牌SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Diodes品牌推出的SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS（Transient Voltage Suppressor）器件，采用SMBJ封装技术，适用于24V电压应用环境。该芯片具有出色的静电保护性能，能够有效抑制瞬态电压、浪涌电流等不良因素，确保电子设备的稳定运行。 SMBJ24A-13-F芯片采用Diodes品牌独特的WM技术，具有高吸收电流的能力，可在瞬态电压冲击下迅速导通，将
Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA的技术与方案应用介绍 Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS半导体二极管，具有60V的额定工作电压和快速响应特性，适用于各种电子设备的静电保护。这款TVS二极管采用DO214AA封装形式，具有优良的电气性能和可靠性。 技术特点： 1. 高性能：SMBJ60A具有高浪涌吸收能力，能有效抑制瞬态电压和浪涌电流，保护电子设备免受静电冲击。 2. 快
Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR技术与应用介绍 Littelfuse品牌的SMF5.0A静电保护ESD芯片，采用先进的TVS（Transient Voltage Suppressor）技术，具有出色的静电保护性能和可靠性。该芯片采用SOD123FL封装形式，适用于各种低功耗、低电压的电子产品，如智能手机、平板电脑、数码相机等。 SMF5.0A芯片采用先进的半导体工艺制造，具有高击穿电压、低漏电流、低反向电阻等优点。当
Littelfuse品牌SMBJ28A静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 Littelfuse公司生产的SMBJ28A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用TVS技术，具有出色的浪涌保护性能。该芯片适用于各种28V系统，如电子设备、仪器仪表、通信设备等，能够有效抑制瞬态电压，保护电路免受浪涌电流的侵害。 技术特点： 1. 采用TVS技术，具有快速响应的能力，瞬态电压钳制能力强； 2. 动作后恢复时间短，不影响系统正常运行； 3. 工作温度范围宽，可靠性高； 4. 封
Diodes品牌SMBJ30A-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用TVS DIODE 30VWM技术，具有出色的抗静电性能和可靠性。该芯片的额定电压为30V，最大反向漏泄电流为48.4mA，适用于各种电子设备的静电防护电路中。 SMBJ30A-13-F芯片采用SMB技术，具有高吸收能力，可在瞬间将静电电荷泄放，从而保护电子设备免受静电放电（ESD）的损害。该芯片的响应时间快，钳位电压稳定，能够有效地抑制瞬态过电压，保护电路免受静电损伤。 在方案应用方面，SMBJ30A-13-F芯片可
Littelfuse品牌的SMBJ5.0A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用DO214AA封装技术，具有高能量吸收能力，快速响应速度和低接触电阻等特点，适用于各种电子设备的静电保护应用。 该芯片采用TVS隧道二极管结构，具有优异的静电保护性能，能够有效抑制静电放电（ESD）冲击，保护电路免受静电放电的损坏。同时，该芯片还具有低电容、低漏电流、高钳压、体积小等特点，适用于各种电子设备的静电保护应用。 在应用方面，SMBJ5.0A可以应用于各种需要静电防护的场合，如计算机、通信、消
Diodes品牌SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和应用介绍 Diodes品牌的SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片是一款非常实用的TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管，适用于各种电子设备的静电保护方案。该芯片采用了SMBJ5.0A-13-F型号，具有高浪涌电流能力和快速的瞬态抑制特性，适用于各种电压范围，如5V和9.2V。 SMBJ5.0A-13-F芯片采用了先进的半导体技术，具有极低
常见的静电器件有哪些？
2024-09-10静电器件属于电路保护器件，其目的是为了保护过压、过流、浪涌等情况发生的时候损坏，下面中国电子网为大家带来一些静电器件。 1、ESD静电放电二极管: ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件，是一种为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的元器件。ESD静电二极管是为了避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。 可提供非常低的电容器，具有优异的传输线脉冲(TLP)测试和IEC6100-4-2测试能力，特别是多样数达到1000后，改善了对敏感电子部件的保护。 2、电感的作用: 电磁