喜讯 哈工大突破芯片关键设备直“激”7nm以下制程
2024-05-17在美修改规则之后，全球芯片产业链的发展就陷入到了“僵局”，台积电、三星等芯片公司由于无法自由出货，正面临业务上的重大挑战。 国内则开始加快对先进光刻机、先进芯片制造等技术的研发。以摆脱外部供应链造成的影响，独立、自主的生产出，企业发展所必需的芯片产品。 想要生产高端芯片，就离不开EUV光刻机等芯片制造设备。受制于《瓦森纳协定》以及美的影响，高端设备是买不来、求不来、换不来的，想要实现突破就必须依赖于自主研发。 近期，哈工大正式对外界官宣，在芯片制造环节中的关键设备取得突破,这又会给国内带来什么
我国第四代半导体再突破8英寸硅片上制备出高质量氧化镓外延片
2024-05-11就在这周，迎来了一个好消息，从西安邮电大学官网获悉，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着该校在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。 团队负责人陈海峰教授介绍，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料，具有优异的耐高压与日盲紫外光响应特性，在功率器件和光电领域应用潜力巨大。硅上氧化镓异质外延有利于硅电路与氧化镓电路的直接集成，同时拥有成本低和散热好等优势。氧化镓是一种新型超宽禁带半导体材料，是被国际普遍关注并认可已开启产业化
持续创新与技术突破:探讨TDK
2024-04-02在电子元器件领域，TDK公司以其卓越的技术实力和持续的创新精神，成为了陶瓷电容领域的佼佼者。特别是在陶瓷电容领域，TDK凭借其持续创新和技术突破，不断推动行业的发展，为全球电子设备提供更优质、更可靠的解决方案。 一、持续创新的动力源泉 TDK深知，创新是企业发展的原动力。为了保持行业领先地位，TDK不断加大研发投入，积极探索新的技术和产品。在陶瓷电容领域，TDK不断追求技术创新，从材料、工艺、设计等方面进行突破，以满足市场和客户的需求。 首先，TDK注重研发团队的建设，不断吸引和培养高端技术人
IGBT模块封装突破技术挑战
2024-03-231月1日，IGBT模块，作为关键的电力电子器件，正面临技术挑战与产业机遇的双重格局。由于其高可靠性设计和封装工艺控制难度大，如何确保产品的可靠性和质量稳定性成为了核心难题。 在封装过程中，材料匹配、高效散热、低寄生参数、高集成度等因素共同构成了高可靠性设计的核心要素。而封装工艺控制则涉及低空洞率焊接/烧结、高可靠互连、ESD防护、老化筛选等多个环节，每个环节都需经过长时间的摸索和经验积累。 散热效率是影响模块性能和可靠性的关键因素。由于热膨胀系数不匹配和热机械应力等原因，模块中不同材料的结合点
Genesys技术创新与突破
2024-03-08标题：Genesys在半导体技术领域的创新与突破：行业影响与未来展望 在当今信息时代，半导体技术领域的发展日新月异，不断推动着科技进步的步伐。在这个领域中，Genesys公司以其独特的创新与突破，成为了行业的领军者。 一、技术创新与突破 Genesys公司以其独特的技术创新和突破，在半导体技术领域独树一帜。首先，他们成功研发出新一代的纳米级光刻技术，大大提高了芯片的集成度和性能。这一创新不仅降低了生产成本，也使得更高级别的智能设备成为可能。其次，Genesys在材料科学领域也取得了重大突破，他
Nexperia在汽车电子领域的突破
2024-02-22标题：Nexperia：汽车电子领域的创新引领者，市场影响力无可比拟 在汽车电子领域，Nexperia以其卓越的创新技术和市场影响力，成为了行业的领军者。这家公司凭借其深厚的专业技术，为汽车行业提供了众多关键的电子元件，为汽车的安全、舒适和效率做出了重要贡献。 一、创新技术：引领行业潮流 Nexperia在汽车电子领域的技术创新主要体现在其高度可靠和高效的电子元件上。例如，其最新的氮化铝（AlN）薄膜电容，以其出色的温度性能和可靠性，在汽车电子系统中发挥着至关重要的作用。此外，Nexperia
LED技术的创新与突破
2024-02-20亿光光电，一家全球领先的光电子企业，以其对LED技术的持续创新和突破，为全球照明产业带来了深远影响。在高效能、长寿命、低能耗等关键领域，亿光光电的技术进步不仅推动了LED产业的发展，也为我们提供了更为环保、节能的照明解决方案。 首先，亿光光电在高效能方面取得了显著突破。他们通过不断优化LED的制造工艺和材料选择，使得LED的光效不断提升。这不仅降低了照明系统的能耗，也使得LED照明设备在相同亮度下更小、更轻薄，更符合现代生活的需求。 其次，亿光光电的长寿命也是其一大亮点。与传统光源相比，LED
技术创新与突破:探讨富士通在半导体技术领域的最新创新和突破性
2024-02-19在当今科技飞速发展的时代，技术创新与突破成为了推动各行业发展的关键因素。尤其在半导体技术领域，富士通以其卓越的技术实力和创新能力，为全球半导体产业树立了新的标杆。 富士通一直致力于研发最新的半导体技术，以满足市场对高性能、低功耗和低成本的需求。最近，富士通在半导体技术领域取得了显著的突破性成果，其中包括： 首先，富士通成功研发出新一代的纳米级制程技术，将芯片的晶体管尺寸缩减到极限。这使得富士通的芯片具有更高的性能、更低的功耗和更高的可靠性。这一技术创新将为人工智能、物联网、云计算等新兴领域提供
中国科研团队突破全息3D显示技术
2024-01-27全息显示技术为真正的3D显示提供了终极解决方案，在增强现实和虚拟现实方面具有巨大的潜力。然而，全息3D显示的颜色和视角主要取决于激光的波长和当前空间光调制器的像素尺寸。 传统系统中不可避免的色差和窄视角严重影响了全息显示效果，阻碍了全息3D显示在许多领域的应用。 彩色液晶光栅的具体结构的局部放大图 在《光：科学与应用》杂志上发表的一篇新论文中，由中国北京航空航天大学王琼华教授及其同事领导的一个科学家团队开发了一种基于彩色液晶光栅的大视角3D显示系统。该系统显示了50.12°的彩色视角，没有任何
垂直GaN技术新突破 新变局
2024-01-26目前，以传统半导体硅（Si）为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。但现有的硅基功率技术正接近材料的理论极限，只能提供渐进式的改进，无法满足现代电子技术对耐高压、耐高温、高频率、高功率乃至抗辐照等特殊条件的需求。 因此，业界开始寻求新的半导体材料来满足行业需要，期盼突破传统硅的理论极限。 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料因具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度等特点，成为目前功率电子材料与器件研究的热点。 与*代、第二代半导体相比，第三代半导体材料所制备的