场效应管FDS9933A
2024-06-15名称：FDS9933A 晶体管类型：MOSFET 极性：P 最大功耗（Pd）：2 W. 允许的最大漏源电压（Uds）：20 V. 最大允许直流消耗（Id）：3.8 A. 最高通道温度（Tj）：150°C 总快门电荷（Qg）：7 nC 开源晶体管（Rds）漏源电阻：0.075欧姆 外壳类型：SO8 1998年11月FDS9933A双P沟道2.5V指定PowerTrench？MOSFET特性概述这些P沟道2.5V规格的MOSFET产生 -3.8 A，-20 V. RDS（on）= 0.075？使用
电感上的DC电流效应
2024-06-10在开关电源的设计中电感的设计为工程师带来的许多的挑战。工程师不仅要选择电感值，还要考虑电感可承受的电流，绕线电阻，机械尺寸等等。本文专注于解释：电感上的 DC 电流效应。这也会为选择合适的电感提供必要的信息。 理解电感的功能▼ 电感常常被理解为开关电源输出端中的 LC 滤波电路中的 L（C 是其中的输出电容）。虽然这样理解是正确的，但是为了理解电感的设计就必须更深入的了解电感的行为。 在降压转换中（Fairchild 典型的开关控制器），电感的一端是连接到 DC 输出电压。另一端通过开关频率切
晶导微 F7N70 700VMOS场效应管ITO-220ABW的技术和方案应用介绍
2024-04-15标题：晶导微 F7N70 700VMOS场效应管ITO-220ABW的技术和方案应用介绍 晶导微的F7N70 700VMOS场效应管ITO-220ABW是一款高性能的电子元器件，以其卓越的性能和广泛的应用领域，在许多电子设备中发挥着重要作用。 一、技术特点 F7N70 700VMOS场效应管ITO-220ABW具有高耐压、大电流、低损耗和高转换速率等特性。其独特的栅极结构，使得它能够在高频和高温环境下保持稳定的工作状态。此外，该器件具有高开关速度、低反向漏电、高跨导等优点，使其在各种电子设备中
晶导微 F12N65 650VMOS场效应管ITO-220ABW的技术和方案应用介绍
2024-04-12标题：晶导微 F12N65 650V MOS 场效应管ITO-220ABW的技术与方案应用介绍 一、技术概述 晶导微的 F12N65 650V MOS 场效应管ITO-220ABW是一款高性能的半导体器件，其采用先进的氮化硅或二氧化硅作为绝缘材料，具有高耐压、大电流、低功耗、高频响应快等特点。该器件内部集成有栅极驱动电路和保护电路，使得其性能更加稳定可靠。 二、应用领域 1. 电源电路：F12N65 650V MOS 场效应管可以用于电源电路中，作为输出开关管或保护开关管。在开关电源中，它可以
晶导微 F10N65 650VMOS场效应管ITO-220ABW的技术和方案应用介绍
2024-04-12标题：晶导微 F10N65 650V MOS 场效应管 ITO-220ABW 的技术与应用介绍 晶导微的 F10N65 650V MOS 场效应管 ITO-220ABW 是一款高性能的半导体器件，具有广泛的应用领域。本文将深入探讨该器件的技术特点、方案应用及其优势。 一、技术特点 F10N65 650V MOS 场效应管 ITO-220ABW 采用 N 沟道增强模式，具有高耐压、低导通电阻和快速响应等特点。其核心部分为二氧化硅绝缘层，通过精密工艺制造，确保了器件的高可靠性和稳定性。此外，该器件
晶导微 D4N65 650VMOS场效应管TO
2024-04-04标题：晶导微D4N65 650VMOS场效应管TO-252W的技术和方案应用介绍 晶导微的D4N65 650V MOS场效应管TO-252W是一种高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备中。本文将介绍该器件的技术特点和方案应用。 一、技术特点 D4N65 650V MOS场效应管TO-252W具有以下技术特点： 1. 高压性能：该器件能够承受高达650V的电压，适用于需要高电压场合。 2. 快速开关：该器件具有快速开关特性，能够在极短的时间内完成导通和截止。 3. 高效能：该器件具有较高的输
晶导微 D4N60 600VMOS场效应管TO
2024-04-04标题：晶导微D4N60 600VMOS场效应管TO-252W的技术和方案应用介绍 晶导微的D4N60 600VMOS场效应管TO-252W是一款高性能的半导体器件，适用于各种电子设备中需要高效、安全、可靠功率转换的应用场景。本文将对其技术特点、方案应用以及注意事项进行详细介绍。 一、技术特点 D4N60采用TO-252W封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其特点包括： 1. 高压大电流：D4N60的额定电压高达600V，能够承受较大的电流变化，适用于需要高压驱动的场合。 2. 快速开关性能
晶导微 D2N65 650VMOS场效应管TO
2024-04-03标题：晶导微 D2N65 650V MOS 场效应管 TO-252W 的技术和方案应用介绍 晶导微 D2N65 650V MOS 场效应管 TO-252W 是一款高性能的功率电子器件，其采用先进的半导体技术，具有高耐压、大电流、高频性能好等特点，广泛应用于各种电子设备中。 一、技术特点 1. 高压大电流：D2N65 650V MOS 场效应管的最大电压高达 650V，能够承受较大的电流，适合于高电压、大电流的应用场景。 2. 快速开关特性：该器件具有快速开关特性，能够快速导通和截止，适用于需要
Silicon(硅睿)SWG3403场效应管(MOSFET)
2024-03-16标题：矽睿SWG3403场效应管（MOSFET）的技术与方案应用介绍 矽睿科技的SWG3403场效应管（MOSFET）是一款高性能的半导体器件，以其出色的性能和稳定的特性，广泛应用于各种电子设备中。本文将深入探讨SWG3403的技术特点和方案应用。 一、技术特点 SWG3403采用先进的半导体工艺制造，具有高开关速度、低导通电阻、高耐压等优点。其栅极驱动电流低，可靠性高，温度稳定性好，可在各种恶劣环境下稳定工作。此外，SWG3403还具有出色的噪声抵抗能力，适用于各种复杂的应用环境。 二、方案
Silicon(硅睿)SWF3400场效应管(MOSFET)
2024-03-13Silicon(矽睿) SWF3400场效应管(MOSFET)的技术和方案应用介绍 Silicon(矽睿) SWF3400是一款高性能的场效应管(MOSFET)，具有多种技术和方案应用。本文将详细介绍该器件的技术特点、方案应用以及注意事项。 一、技术特点 1. 高输入阻抗：SWF3400具有极低的输入阻抗，可以有效地减少电路中的功耗。 2. 高开关速度：该器件的开关速度非常快，可以显著降低电路的损耗。 3. 温度稳定性好：SWF3400具有优良的温度稳定性，可在高温环境下正常工作。 4. 封装