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齐纳二极管在正向偏置时的行为类似于具有PN结的普通硅二极管，允许电流从阳极流向阴极。但在反向偏置时，齐纳二极管不同于普通二极管阻止电流流动，而是在达到一定反向电压阈值时，开始导通，允许反向电流流过。 当施加到齐纳二极管的反向电压超过其典型极限阈值时，在半导体耗尽区会发生称为雪崩击穿的过程，随后二极管会产生电流来限制电压的升高。在此过程中，电荷通过自由电子与相邻原子的碰撞而产生，并因此产生热量，有可能对器件造成不可逆转的损坏。 但是，如果二极管的耗尽区非常薄且高掺杂，则可能由于结中产生的高强度电

有什么比参考电压源更简单的基本电压恒定参考电压？和所有设计主题一样，也有取舍。本文讨论不同类型的基准电压源、它们的主要规格和设计权衡，包括精度、温度无关性、电流驱动能力、功耗、稳定性、噪声和成本。 理想的参考电压具有完美的初始精度，并保持其电压随负载电流、温度和时间而变化。在现实世界中，设计人员必须权衡以下因素：初始电压精度、电压和温度漂移和滞后、电流源和吸收能力、静态电流(或功耗)、长期稳定性、噪声和成本。 参考类型 两种最常见的参考类型是齐纳二极管和带隙二极管。齐纳二极管通常用于并联拓扑。

你见过二极管吗？当然，答案是肯定的，二极管给我们带来了极大的便利，但是对于二极管来说，人们必须只知道它是什么样子。让我们来谈谈常用的齐纳二极管模型、替代模型、参数等。希望能帮助你。齐纳二极管简介齐纳二极管伏安特性曲线的正向特性与普通二极管相似，反向特性是当反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻大，反向漏电流极小。然而，当反向电压接近反向电压的临界值时，反向电流突然增加，这被称为击穿。在这个临界击穿点，反向电阻突然下降到一个非常小的值。虽然电流变化范围很大，但二极管两端的电压在击穿电压附近基本稳定