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中国排名第一:下一代半导体元件材料氧化镓专利
发布日期:2024-05-10 07:41     点击次数:190

据韩媒The Elec报道,根据AnA Patent对韩国、中国、美国、欧洲、日本等6个主要PCT国家/地区所持有的氧化镓功率半导体元件有效专利分析,截至2021年9月共有1011件专利,其中中国拥有328件,日本拥有专利313件,两国专利数量占总数的50%以上。2021年9月至2022 年11月新增的460件专利中,大部分来自中国(240 件)和日本(87件)。 

半导体材料氧化镓2.jpg

 

氧化镓(Gallium oxide)是一种广泛应用于半导体领域的化合物,化学式为Ga2O3。它具有高绝缘性、高电子迁移率和高热稳定性等优异的物理特性,JJW(捷捷微电)功率半导体IC汽车芯片 在功率电子、紫外光电子学、太阳能电池等领域有着重要的应用。由于其较大的带隙和高击穿场强,氧化镓还被认为是下一代功率半导体材料的有力竞争者之一。 

半导体材料氧化镓.jpg 

      AnA Patent专利代理人洪承勋(音译)表示,“仅过了1年零2个月,氧化镓功率半导体元件相关专利数就增加了50%左右,世界各国的专利确保动向非常活跃。虽然不能仅凭专利就讨论实际技术能力,但值得关注的是,中国和日本申请了大量专利。” 

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