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台积电先进封装技术再升级
发布日期:2024-06-22 07:30     点击次数:98

    晶圆代工水龙头台积电不断扩张整合型扇出圆晶级封装(InFOWLP)运用,继上年进行整合型扇出暨基板(InFO_oS)、整合型扇出暨记忆体及基板(InFO_MS)等优秀封装技术验证及进到批量生产环节,台积电再对于高效率与运算(HPC)芯片发布InFO级别的系统软件多晶硅圆(System-on-Wafer,SoW)技术,能将HPC芯片在不用基板及PCB状况下立即与热管散热摸组融合在单一封装中。

    HPC芯片是台积电2020年运营成才关键机械能之一,包含承揽超微的Zen2及Zen3构架EPYC伺服驱动器cpu及RDNA及RDNA2构架制图芯片。英伟达显卡(NVIDIA)Turing及Ampere构架制图芯片、赛灵思及intel的可程序逻辑性闸列阵(FPGA)等,及其替Google或微软公司等互联网大型厂打造出的云空间或人工智能技术与运算芯片等。

    台积电除开加仓增加7纳米技术及5纳米技术等优秀制造以顺应HPC晶圆代工强悍要求,也同歩加仓优秀封装项目投资合理布局。在其中,台积电资金投入CoWoS(基板上圆晶上芯片封装)制造产品研发到批量生产现有接近十年時间,关键对于进阶逻辑性芯片量身定做打造出,让HPC芯片能够得到更大的记忆体频宽来加快与运算高效率。台积电如今最优秀的CoWoS技术已可在芯片及基板的中介公司层(interposer)中做到5层金属材料层(metallayers)及深管沟电晶体(DTC)。

    台积电2020年发布援助5纳米技术逻辑性SoC及2.5倍光罩规格(reticle)中介公司层、最大援助配用6颗HBM2e记忆体及最大96GB容积的CoWoS技术,2020年将发布援助5纳米技术逻辑性SoC及3倍光罩规格中介公司层、最大援助配用8颗HBM2e记忆体及最大128GB容积的CoWoS技术。因为HPC芯片的生产制造排程长达大半年, 亿配芯城 最近肺炎疫情推动伺服驱动器要求,但上半年度CoWoS生产制造仍依方案开展,并沒有见到订单信息因肺炎疫情扩散而提升状况产生。

    台积电对于手机上芯片打造出的InFO封装技术,iPhoneA系列产品运用cpu是InFO_PoP封装较大顾客。台积电17年刚开始将InFO_oS技术运用在HPC芯片并进到批量生产,预计今年InFO_oS技术可合理融合9颗芯片在同一芯片封装中。对于运用在人工智能技术逻辑推理芯片的InFO_MS技术在上年第三季度验证根据,可援助1倍光罩规格中介公司层及融合HBM2记忆体。

    台积电2020年则根据InFO技术再升級,发布援助极高与运算效率HPC芯片的SoW封装技术,较大特点是将芯片列阵、开关电源供货、热管散热摸组等融合,运用达到6层线路重遍布(RDL)制造技术,将好几颗芯片及开关电源分派作用相互连接,再立即迎合在热管散热摸组上,不需选用基板及PCB。