欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:JJW(捷捷微电)功率半导体IC汽车芯片全系列-亿配芯城 > 芯片资讯 > 美光首度采用日本佳能NIL光刻机来降低DRAM生产成本
美光首度采用日本佳能NIL光刻机来降低DRAM生产成本
发布日期:2024-12-06 08:12     点击次数:125

美国存储芯片巨头美光公司宣布了一项重大决策,计划率先引入日本佳能公司的新型纳米压印(NIL)光刻机,旨在通过这一创新技术,进一步降低生产DRAM(动态随机存取存储器)的成本。此举不仅有望为美光带来竞争优势,也可能对整个半导体行业产生深远影响。

美光首度采用日本佳能NIL光刻机来降低DRAM生产成本.jpg

在日前举办的演讲中,美光公司详细介绍了纳米压印技术在DRAM生产中的应用及其优势。随着DRAM制程技术的不断进步,Chop层数不断增加,传统的浸润式曝光技术在解析度上遇到了瓶颈。为了取出密集存储阵列周围的虚置结构,需要增加更多的曝光步骤,这不仅增加了生产成本,还影响了生产效率。

而纳米压印技术的出现,为美光公司提供了解决问题的新思路。纳米压印技术通过直接将电路图案印在晶圆上,能够实现更精细的图案制造,从而突破了光学曝光技术的限制。更重要的是,纳米压印技术的成本仅为浸润式光刻的20%左右,这使得它成为降低生产成本的较佳解决方案。

然而,值得注意的是,纳米压印技术并不能完全取代传统光刻技术在存储器生产的所有阶段。两者并非纯粹的竞争关系,而是可以相互补充、共同发展的。纳米压印技术可以在某些特定的生产环节中发挥优势,降低部分技术操作成本, 芯片采购平台而传统光刻技术则在其他环节中保持其独特的地位。

佳能公司在2023年10月推出了新型FPA-1200NZ2C纳米压印光刻机,该设备能够将电路图案直接印在晶圆上,引起了行业的广泛关注。佳能公司强调了该设备的低成本和低功耗特点,认为它将成为未来半导体生产的重要工具。佳能半导体设备业务部长Iwamoto Kazunori在解释纳米压印技术时表示,该技术通过刻有半导体电路图的掩模压印到晶圆上,只需一次压印就可以在合适的位置形成复杂的2D或3D电路。如果掩模得到进一步改进,甚至有望生产出电路线宽达到2nm节点的产品。目前,佳能的纳米压印技术已经能够使图案的最小线宽对应5nm节点逻辑半导体,展现出了强大的潜力。

美光公司计划引入佳能的新型纳米压印光刻机,正是看中了这一技术的巨大优势。通过与佳能公司的合作,美光有望进一步提升其DRAM生产技术的先进性和成本效益,从而在全球半导体市场中获得更大的竞争优势。

此外,纳米压印技术的引入也将对整个半导体行业产生积极的影响。随着技术的不断进步和成本的降低,纳米压印技术有望在更多的生产环节中得到应用,推动半导体行业的持续发展。同时,这也将促进半导体设备制造商之间的竞争加剧,推动技术创新和产业升级。

总之,美光公司计划采用日本佳能的纳米压印光刻机,是半导体行业技术革新的一次重要尝试。这一决策不仅有望为美光公司带来显著的竞争优势和成本降低,也将对整个半导体行业产生深远的影响。我们期待着这一技术在未来的广泛应用和更多创新成果的涌现。

亿配芯城 (2).png