cbb22电容如何判断容量?

针对一个CBB22电容而言，它最重要的2个主要参数便是容量和额定电流，这两个主要参数一般都是标明在电容上边，但CBB22上标明的容量一般是应用大数字表示法，一部分人表达不明白，cbb22电容如何判断容量？来一起努力学习一下吧。 之上图这一CBB22电容特征分析，上边标明的总数是：CBB22104J450V，下边就来一一为大伙儿讲解他们到底是如何含意。 1、CBB22：指的是电容器的类型，这一归属于金属化聚丙稀塑料薄膜电容，归属于最普遍的一类CBB电容器。 2、104：代表的便是电容的容量，10

安规电容容量、频率和容抗之间有什么的关系

大家都了解电气安全电容具备通沟通交流隔直流电的基本原理，交流电是不可以根据的，这是由于电容在接电源一瞬间就被电池充电到满电压了。由于该电压恰好与外加电压尺寸相同而方位反过来，因此就不容易有电流量了。在这个电池充电全过程中电容是在通断的。在交流电路中，电压的方位在不断转变中，电容自始至终处于电池充电和充放电当中。因而电容也自始至终是处于通断情况的。 电容容积大，需要的电池充电時间也就长，电容的电压升高也就慢。因为电容电压是和外加电压旋光性是反过来的，因此电容大在电源电路中所造成的抵御电压也就小，

电阻的基础电路设计知识

1定义 电阻元器件的电阻值尺寸一般与温度，原材料，长短，也有横截面积相关，考量电阻受温度危害尺寸的静电力常量是温度指数，其界定为温度每上升1℃时电阻值产生变化的百分比。 电导体的电阻一般用英文字母R表达，电阻的企业是欧母（ohm），通称欧，标记是Ω（希腊字母，读作Omega)，1Ω=1V/A。较为大的企业有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）（兆=上百万，即一百万）。 1TΩ=1000GΩ；2GBΩ=1000MΩ；1MΩ=1000KΩ；1KΩ=1000Ω（也就是一千进率） 串连：R=R1+R2+．．．+

AD8350是低失真1.0条GHz差分放大器

特征 –高动态范围 –输出IP3:+28 dBm:Re 50@250 MHz低噪声系数：5.9条分贝@250兆赫两种增益版本： –AD8350-15:15分贝 –AD8350-20:20分贝 –3分贝带宽：1.0条千兆赫 –单电源操作：5 V至10 V –供电电流：28毫安 –输入/输出阻抗：200 –单端或差分输入驱动 –8-铅SOIC封装和8-铅微粒体封装 应用 –蜂窝基站 –通信接收机射频/中频增益块 –差分A-to-D驱动器 –声表面波滤波器接口 –单端到差分转换 –高性能视频 –高速

CD4052和CD4053的区别

CD4052是一个差分4通道数字控制模拟开关，有A、B两个二进制控制输入端和INH输入，具有低导通阻抗和很低的截止漏电流。幅值为4.5～20V的数字信号可控制峰峰值至20V的模拟信号。例如，若V DD=+5V，VSS=0，VEE=-13.5V，则0～5V的数字信号可控制-13.5～4.5V的模拟信号，这些开关电路在整个VDD-VSS和VDD-VEE电源范围内具有极低的静态功耗，与控制信号的逻辑状态无关，当INH输入端=“1”时，所有通道截止。二位二进制输入信号选通4对通道中的一通道，可连接该输

串行接口实时时钟芯片DS12887

DS12887的简介： DS12887是美国达接斯半导体公司（Dallas）最新推出的串行接口实时时钟芯片,采用CMOS技术制成,具有内部晶振和时钟芯片备份锂电池,同时它与目前IBM AT计算机常用的时钟芯片MC146818B和DS1287管脚兼容,可直接替换。它所提供的世纪字节在位置32h,世纪寄存器32h到2000年1月1日将从19递增到20。采用DS12887芯片设计的时钟电路无需任何外围电路和器件,并具有良好的微机接口。DS12887芯片具有微功耗,外围接口简单,精度高,工作稳定可靠等

AD7824: 高速4通道8位CMOS ADC

AD7824和AD7828是高速、多通道、8位ADC，具有4路(AD7824)或8路(AD7828)复用模拟输入。半Flash转换技术实现了每通道2.5 µs的快速转换速率，内置采样保持功能可以对所有通道上的10 kHz（157 mV/µs压摆率）满量程信号进行数字化处理。AD7824和AD7828采用+5 V单电源供电，模拟输入范围为0 V至+5 V，使用+5 V外部基准电压。 这些器件与微处理器的接口十分简单，使用标准片选(CS)和读取(RD)信号来启动转换，并从三态数据输出读取数据。半F

多个方面带你了解差模干扰

差模干扰：简单的说就是线对线的干扰。 如图，我们可以看到差模的原理图。UDM就是差模电压，IDM就是差模电流。IDM大小相同，方向相反。 差模干扰产生的原因 差模干扰中的干扰是起源在同一电源线路之中（直接注入）。如同一线路中工作的电机，开关电源，可控硅等，他们在电源线上所产生的干扰就是差模干扰。 如何影响设备。 差模干扰直接作用在设备两端的，直接影响设备工作，甚至破坏设备。（表现为尖峰电压，电压跌落及中断。） 如何滤除差模干扰 主要采用差模电感和差模电容。 差模电感工作原理： 可以看到，当电流

PCB布线设置规范说明

PCB布线设置规范说明如下： 1.放置电源、接地和信号线 在放置了组件之后，现在是时候为您的电源、地面和信号轨迹确定路线，以确保您的信号有一个干净、无故障的传输路径。这里有一些指导方针来记住你的布局过程的这个阶段： 2.定向功率和接地平面 它总是建议您的电源和地面平面内部到您的董事会，同时还是对称和中心。这将有助于防止您的板弯曲，这也将影响您的组件是否正确定位。为了给IC供电，建议对每个电源使用公共轨道，确保您有坚实和宽的轨迹，并且还要避免部分到部分的菊花链电力线。 3.连接信号线 下一步，连

光耦品牌大汇总，采购及工程师应该收藏

光耦，也即光电耦合器，一般在电子线路中被作为防护，如弱电与弱电安装中间的电气隔离，功效是避免 电源电路数据信号相互之间影响； 光耦的品牌大归纳： 1，国内品牌：哈尔滨市海格，华润微，陕西省航晶，常州市星空新世纪，安徽省富芯微，苏州市悠文，深圳市爱思科交换机，深圳市浩畅，无锡市苏淮，广东省科信，Orient奥伦德，OCIC卓睿，湖北省匡通，南京微盟这些； 2，港澳台品牌：台湾半导体，拓纬，冠西，光宝，中国香港美科，亿光，佰鸿，友顺UTC，UMW友台这些； 3，韩日品牌：松开，西铁城，瑞萨Rene

美光正式宣布：断供华为！！

刚刚，最新消息传来：美光在一场大会上明确表示，由于美国政府加强华为禁令，确定将自9月 14日后将无法继续供货华为。 报道指出，美光是美国最主要DRAM及NAND Flash内存生产商，其中DRAM市占率位居全球第三，NAND Flash也名列全球第五，2019年营收总额达234亿美元。据美光财报会议时表示，因2020年DRAM及 NAND Flash等产品价格下跌影响，预期2020年营收将衰退至200亿美元。 报道称，若禁令生效前情况没有好转，美光被迫遵守规定放弃供货华为，意味着其每年将减少约

紫光股份拟收购暨控股紫光云 完善云计算产业链

日前，紫光股份发布公告，为进一步把握云计算市场发展趋势，促进公司混合云战略有效落地，加速公司从产品销售模式向平台服务模式的转型升级，增强公司在云计算领域的市场竞争力及减少关联交易，公司拟以自有资金收购紫光长青直接持有的紫光云46.67%股权。 截至评估基准日2020年7月31日，紫光云合并口径下归属于母公司的股东全部权益价值评估值为人民币40.9亿元;紫光云46.67%股权对应的评估值为人民币19.09亿元。 经双方确定，本次股权转让价格为人民币19.09亿元。股权转让完成后，公司将成为紫光云